三星：3纳米GAA制程研发进度领先台积电 将芯片面积削减45%
来源：网络整理
时间：2021-08-26 17:27
浏览量： 次
据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极(Gate-All-Around，GAA)技术将尽早实现商业化。
Jeong 在 8 月 25 日在线举行的三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说：“我们正在领先于我们的主要竞争对手(台积电)开发 GAA 技术，如果我们攻克这项技术，我们的代工业务将能够进一步发展。”该论坛是由三星电子的 DS 业务部创建的，旨在吸引全球工程师。
IT之家了解到，GAA 被认为是 3 纳米工艺的一个关键部分，在不久的将来将被全球顶级代工企业采用。其关键是将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D(FinFET)改为 4D(GAA)。据三星电子称，2019 年其与客户进行的 3 纳米 GAA 工艺设计套件测试显示，GAA 技术将芯片面积削减了 45%，并将电源效率提升了 50%。
三星电子表示，其在技术方面与台积电的竞争不相上下，Jeong 说，“三星在 2017 年开始了代工业务，但我们将凭借在内存半导体方面的专有技术超越台积电，”他举例说，三星电子比台积电更早开发了装载 FinFET 技术的 14MHz 产品。
业内分析人士表示，谁会首先将 GAA 技术商业化还是未知数，这是因为台积电也在积极地将该技术提前实现商业化。2011 年至 2020 年间，全球 GAA 专利的 31.4% 来自台积电，三星电子的专利占 20.6%。
